特許

J-GLOBAL ID：200903045311756949

GaN系トランジスタ

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-133399
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320042
出願日： 2000年05月02日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 電気的特性に優れたナイトライド系半導体を用いて、高耐圧で大電流動作が可能な縦型構造の半導体装置であるゲート電極を備えたGaN系トランジスタを提供する。【解決手段】 ゲート電極直下の半導体層(p+-AlGaN層6)を、他の半導体層(n-AlGaN層5)を形成する半導体材料よりもバンドギャップの大きい半導体材料、例えばAlGaNを用いて、縦型構造のGTOやIGBTからなるパワーデバイスを実現する。

請求項（抜粋）：

ゲート電極を備えたGaN系トランジスタであって、ゲート電極直下の半導体層を、他の半導体層を形成する半導体材料よりもバンドギャップの大きい半導体材料により形成したことを特徴とするGaN系トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/74 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/744 ,  H01L 21/332 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 655

FI (7件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/74 D ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 301

Fターム (16件)：

5F005AA01 ,  5F005AD01 ,  5F005AE09 ,  5F005AF01 ,  5F005AH02 ,  5F005BA02 ,  5F005GA02 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045BB16 ,  5F045CA01 ,  5F045DA52 ,  5F045DA57

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高電子移動度トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-343405   出願人：古河電気工業株式会社
• 絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-235336   出願人：日本電信電話株式会社