半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266270
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120174
出願日： 1992年10月05日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体装置の製造方法において、多結晶シリコン、ポリサイドのエッチング時の形成される側壁保護膜を再現性よく除去する。【構成】CF系、CHF系ガスのイオンを基板1に対し斜めに入射する事で、側壁に対するイオンエネルギーを発生させることにより側壁保護膜5の除去を行なう。さらに多結晶シリコン3、ポリサイドのオーバーエッチング時にもイオンの斜め入射を行なう。【効果】従来のウェット処理に比べ、除去の安定性、下地酸化膜との選択比が向上し、薄膜化が進むゲート酸化膜上のゲート電極の微細加工が可能となる。

請求項（抜粋）：

酸化膜上に形成した多結晶シリコンあるいはポリサイドの異方性エッチング方法において、少なくともハロゲン元素を含むガスを主ガスとするプラズマにより該多結晶シリコンあるいはポリサイドのエッチングを行ないシリコン基板に対し垂直あるいは垂直に近い断面形状を得る工程と、CxFyを含むガスのプラズマを該半導体基板に対し斜め方向より入射する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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