特許

J-GLOBAL ID：200903045313460893

高比放射能C-11標識ラクロプライドの製造方法

発明者： 西山 新吾 ,  塚田 秀夫 ,  原田 典弘
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184622
公開番号（公開出願番号）：特開2000-016981
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：

【要約】【課題】 高比放射能C-11標識ラクロプライドの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る方法は、(1)14N(p、α)11C反応により、11Cラベル化二酸化炭素([11C]CO2)を合成し、(2)前記二酸化炭素をLiAlH4によりLi(11CH3O)4Alとし、(3)前記Li(11CH3O)4Alをヨウ化水素により、11Cラベル化ヨウ化メチルを合成し、(4)前記ヨウ化メチルを低流速の不活性ガスにより、3、5-ジクロロ-2、6-ジヒドロキシ-N-[(1-エチル-2-ピロリジニル)メチル]ベンズアミドを溶解した加熱ジメチルスルホキシド中に導入してOメチル化することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

高比放射能のC-11標識ラクロプライドを合成する製造方法において、(1)14N(p、α)11C反応により、11Cラベル化二酸化炭素([11C]CO2)を合成し、(2)前記二酸化炭素をLiAlH4によりLi(11CH3O)4Alとし、(3)前記Li(11CH3O)4Alをヨウ化水素により、11Cラベル化ヨウ化メチルを合成し、(4)前記ヨウ化メチルを低流速の不活性ガスにより、3、5-ジクロロ-2、6-ジヒドロキシ-N-[(1-エチル-2-ピロリジニル)メチル]ベンズアミドを溶解した加熱ジメチルスルホキシド中に導入してOメチル化することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

C07D207/09 ,  A61K 51/00

FI (2件)：

C07D207/09 ,  A61K 49/02 A

Fターム (8件)：

4C069AA07 ,  4C069BB08 ,  4C069BB16 ,  4C085HH03 ,  4C085JJ02 ,  4C085KA29 ,  4C085KB56 ,  4C085LL13