絶縁膜用樹脂組成物及びこれを用いた絶縁膜

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-331231
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141344
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体用途において、熱特性、電気特性、吸水性に優れ、特に、比誘電率の極めて低い耐熱性の絶縁膜を提供する。【解決手段】ジアミノフェノール化合物と、該化合物のアミノ基と反応し得るd価の有機基を有する化合物(dは3以上10以下)と、ジカルボン酸化合物とを反応させてなるポリアミド、及びオリゴマーとを必須成分とする絶縁膜用樹脂組成物。該絶縁膜用樹脂組成物を、加熱処理して縮合反応及び架橋反応させて得られるポリベンゾオキサゾールを主構造とする樹脂の層からなり、且つ、微細孔を有してなることを特徴とする絶縁膜。

請求項（抜粋）：

一般式(1)で表されるジアミノフェノール化合物(A)と、該化合物のアミノ基と反応し得るd価の有機基を有する化合物(dは3以上10以下)(B)と、一般式(3)で表されるジカルボン酸化合物(C)、式(5)で表されるジカルボン酸化合物(D)とから反応させてなるポリアミド(E)、及びオリゴマー(F)とを必須成分とする絶縁膜用樹脂組成物。【化1】(但し、式中のXは式(2)で表される構造より選ばれる基を表す。)【化2】【化3】(但し、式中のYは式(4)で表される構造より選ばれる基を表す。)【化4】【化5】(但し、式(2)及び式(4)中のZは式(6)で表される構造より選ばれる基を示す。また、式(2)、式(4)、式(5)及び式(6)の構造中、ベンゼン環上の水素原子は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、フッ素原子、及びトリフルオロメチル基からなる群より選ばれる、少なくとも1個の基で置換されていても良い。)【化6】

IPC (5件)：

H01L 21/312 , C08G 73/10 , C08L 79/08 , H01B 3/30 , H01L 21/768

FI (7件)：

H01L 21/312 A , C08G 73/10 , C08L 79/08 A , H01B 3/30 C , H01B 3/30 Q , H01B 3/30 N , H01L 21/90 S

Fターム (68件)：

4J002AA012 , 4J002BG062 , 4J002CM041 , 4J043PA04 , 4J043PA08 , 4J043QB15 , 4J043QB32 , 4J043QB33 , 4J043QB34 , 4J043SA06 , 4J043SA71 , 4J043TA12 , 4J043TA13 , 4J043UA121 , 4J043UA122 , 4J043UA131 , 4J043UA132 , 4J043UA141 , 4J043UA142 , 4J043UA151 , 4J043UA152 , 4J043UA161 , 4J043UA162 , 4J043UA171 , 4J043UA172 , 4J043UA181 , 4J043UA182 , 4J043UA231 , 4J043UA232 , 4J043UA261 , 4J043UA262 , 4J043UB021 , 4J043UB022 , 4J043UB051 , 4J043UB052 , 4J043UB121 , 4J043UB122 , 4J043UB131 , 4J043UB132 , 4J043UB301 , 4J043UB302 , 4J043VA011 , 4J043VA012 , 4J043VA042 , 4J043VA052 , 4J043VA091 , 4J043VA092 , 4J043XB02 , 4J043XB13 , 4J043XB17 , 4J043ZA46 , 4J043ZB47 , 5F033RR21 , 5F033SS21 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AH02 , 5G305AA11 , 5G305AB10 , 5G305AB24 , 5G305BA09 , 5G305BA18 , 5G305CA20 , 5G305CA33 , 5G305CA35 , 5G305CA54 , 5G305CA60

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