特許
J-GLOBAL ID：200903045320679523
層の構造化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-306400
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206073
出願日： 1992年10月19日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 ゲート酸化物層上に配設されているポリシリコン層を構造化する。【構成】 他の物質からなる下部層上に配設されている層を構造化するためにプラズマエッチング処理によりエッチング反応器1内に下部層の材料からなるターゲット14を配設する。エッチング処理は、この材料を下部層の表面上にほぼ下部層がエッチング処理により除去されるように堆積するようにして行われる。
請求項（抜粋）：
異方性プラズマエッチング処理を少なくともウェハホルダ(4)及びこのウェハホルダ(4)を環状に囲む環状電極(10)を有するエッチング反応器(1)内で行い、またその反応器にウェハホルダ(4)及び環状電極(10)を介して周波数の異なる2つのRF電力が互いに独立して印加され、構造化すべき層の材料とは異なる材料からなる少なくとも1つの下部層及び構造化すべき層を含んでいる層構造(8)を有する基板(7)がエッチング反応器(1)内に装入され、エッチング反応器(1)内に下部層の材料を含むターゲット(14)が備えられ、RF電力を環状電極(10)で上記材料がターゲット(14)からスパッタリングされるように調整するとともに、この材料がエッチング処理中に露出される下部層の表面上にエッチング処理により主として下部層が作用を受けるように堆積するように調整することを特徴とする層の構造化方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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