特許

J-GLOBAL ID：200903045325419589

MIS型半導体装置及びその製造方法

発明者： 田中 和雄
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020215
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218355
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 MIS型半導体装置に於て、チャネル領域に窒素等の不純物を導入させることにより不揮発性メモリーを構成する。【構成】 MIS型トランジスタの形成工程に於て、そのチャネル領域に窒素などのイオンを注入させることによってチャネルのコンダクタンスを選択的に変化させせ、トランジスタの駆動能力を変化させることによって、不揮発性メモリーを構成するものである。

請求項（抜粋）：

主にMIS型FETからなる集積化された半導体装置において少なくとも、MIS型FETが反転層を形成する領域に第7B族元素、あるいは酸素原子、あるいは窒素原子、あるいは前記元素の複合体が1×1019[個/cm3]以上含まれていることを特徴とするMIS型半導体装置。