特許
J-GLOBAL ID：200903045333438410
非線形素子基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-214499
公開番号（公開出願番号）：特開平7-064107
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 配線パターンの断線やヒステリシスの低減に伴う残留分極値の低下を防止する。【構成】 高分子強誘電体上に電極材料を積層したのち、焼成温度が高分子強誘電体材料のキュリー点以上融点以下で焼成するプロセスを有するので、電極の有機膜に対する密着性が向上して電極はがれがなくなり、従来のエッチング時の配線パターンの断線やヒステリシスの低減に伴う残留分極値の低下は防止される。
請求項（抜粋）：
非線形素子として高分子強誘電体材料を用いた高分子強誘電体上に電極を設けた非線形素子基板の製造方法において、該高分子強誘電体上に電極材料を積層したのち焼成するプロセスを有する非線形素子基板の製造方法。
IPC (5件)：
G02F 1/135
, G09F 9/35
, H01L 29/40
, H01L 49/02
, H01R 43/00
