特許

J-GLOBAL ID：200903045334854905

半導体装置の製造方法

発明者： 関口 満 ,  小川 真一 ,  堤 紀久子 ,  杉山 龍男
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-139566
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260757
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 酸化防止膜で金属膜をカバーしないままシリサイド化を可能にする。【解決手段】 酸化物生成エネルギがシリコンの酸化物生成エネルギよりも正の方向に大きい金属のシリサイド膜を形成する。そのために、シリコン領域の表面に前記金属の膜を堆積した後、その金属のの少なくとも一部とシリコンの少なくとも一部との間でシリサイド化反応を引き起こし、それによって金属のシリサイド膜を形成する熱処理工程と行う。この熱処理工程は、アンモニアを含む還元性雰囲気中で実行し、金属膜の表面酸化を防止する。

請求項（抜粋）：

シリコン領域と、前記シリコン領域の少なくとも一部に接触するコバルトシリサイド膜とを備えた半導体装置の製造方法であって、ボロンを前記シリコン領域の少なくとも一部分にドープし、前記一部分のボロン濃度を1×1015cm-3以上にする工程と、前記シリコン領域の表面上にコバルト膜を堆積する工程と、前記コバルト膜と前記シリコン領域とが接触している部分においてシリサイド化反応を引き起こし、それによってコバルトシリサイド膜を形成する第1の熱処理工程と、前記コバルト膜のうちシリサイド化しなかった未反応部分を選択的に除去する工程と、前記第1の熱処理工程の温度よりも高い温度で、前記コバルトシリサイド膜の相転移を引きおこす第2の熱処理工程と、を包含し、前記第1の熱処理工程は還元性雰囲気ガス中に実行され、前記第1の熱処理工程の前記温度は約400°C以上かつ約600°C以下である半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/78 301 P