特許

J-GLOBAL ID：200903045337495671

積層型太陽電池

発明者： 三宮 仁 ,  野元 克彦 ,  千田 純 ,  横田 晃敏 ,  東崎 正吾 ,  中田 行彦 ,  伊藤 学 ,  井上 康美
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-257622
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102505
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 3層積層型アモルファス太陽電池の素子構造を光吸収に対して最適化することによって、光電変換効率を向上させるための構造を提供する。【構成】 3層積層型アモルファス太陽電池の中間素子として従来用いられていたa-Si素子に替えてバンドプロファイルを適用したa-SiGe素子を用いて光吸収に最適なa-SiC/a-SiGe/a-SiGe構造とした。このような構造にすることにより、従来用いられてきたa-SiC/a-Si/a-SiGe構造の素子では一致させることが困難であった各構成素子の光発生電流を一致させることができるようになり変換効率を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

異なる種類のバンドギャップを有する素子を積層した積層型アモルファスシリコン太陽電池において、各素子はp型不純物ドープ層とn型不純物ドープ層とで真性半導体層であるi層を挟んだpin構造で構成され、各々のi層はゲルマニウムまたは炭素を含む合金材料から成り、かつ厚さ方向にゲルマニウム又は炭素の濃度勾配をもうけることによりバンドギャップを厚さ方向に変化させた構造を有する積層型太陽電池。