特許

J-GLOBAL ID：200903045341697149

メソ構造シリカ薄膜の製造法

発明者： 岡部 晃博 ,  仁木 真紀子 ,  福島 孝典 ,  有賀 克彦 ,  相田 卓三
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 筒井 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-344102
公開番号（公開出願番号）：特開2005-104808
出願日： 2003年10月02日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】 メソ構造シリカ薄膜を調製するに際して、簡便な手段でメソ構造の規則性を向上させる技術を提供する。【解決手段】 鋳型分子、シリカ源、ゾルゲル反応触媒、水および必要に応じて有機溶媒から構成される反応溶液を調製してゾルゲル反応を行い、ゾルゲル反応が進行中の溶媒を基板に塗布し、乾燥の進行を抑制しつつ塗布膜を乾燥させる。好ましくは、密閉空間で塗布膜を乾燥することにより乾燥の進行を抑制しながら塗布膜を乾燥させる。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

鋳型分子、シリカ源、ゾルゲル反応触媒、水および必要に応じて有機溶媒から構成される反応溶液を調製してゾルゲル反応を行い、ゾルゲル反応が進行中の溶液を基板に塗布し、乾燥の進行を抑制しつつ塗布膜を乾燥させることを特徴とする、メソ構造シリカ薄膜の製造方法。

IPC (1件)：

C01B37/02

FI (1件)：

C01B37/02

Fターム (25件)：

4G073BA63 ,  4G073BA84 ,  4G073BB44 ,  4G073BB48 ,  4G073BB58 ,  4G073BB66 ,  4G073BB69 ,  4G073BB70 ,  4G073BD06 ,  4G073BD07 ,  4G073BD11 ,  4G073BD18 ,  4G073CZ53 ,  4G073CZ54 ,  4G073FB01 ,  4G073FB42 ,  4G073FC06 ,  4G073FC11 ,  4G073FC13 ,  4G073FC18 ,  4G073FD14 ,  4G073FD15 ,  4G073FD21 ,  4G073UA02 ,  4G073UA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第5098684号公報。