特許
J-GLOBAL ID：200903045350905692
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-015216
公開番号（公開出願番号）：特開平6-231591
出願日： 1993年02月02日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 ハイボルテージスイッチの出力ノード〈OUT〉にLを出力する場合のVPPからのリーク電流により、VPP電位が低下することによるリーク電流を抑えることにより、VPPの電位の安定性に優れた半導体集積回路装置を提供する。【構成】 内部電源電圧VCCより高い電源電圧VPPを有する容量カップリング5による昇圧回路10を有する半導体集積回路装置において、昇圧回路10に入力されるクロック-φを、2NAND6の一方の端子に入力し、2NAND6の他方の端子に昇圧回路10への入力信号INに基づいた信号を入力し、クロックφを制御する。
請求項（抜粋）：
内部電源電圧VCCより高い電源電圧VPPを有する容量カップリングによる昇圧回路を有する半導体集積回路装置において、前記昇圧回路に入力されるクロックを、前記昇圧回路への入力信号に基づいて制御する制御回路を具備することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
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