特許

J-GLOBAL ID：200903045353439498

半導体装置およびその製造方法

発明者： 太田 順道 ,  中村 守雄 ,  正戸 宏幸 ,  井上 薫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-123730
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334197
出願日： 1993年05月26日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板の強度を強くして反りを小さくし、なおかつ放熱性の良好な構成を備えた半導体装置とその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板11の長手方向に沿って半導体基板11の底面側から形成され、かつ半導体表面の放熱部分の直下近傍まで到達する溝10を形成する。次に、溝10に形成されかつ溝10を埋めるように形成された伝熱金属14を形成する。

請求項（抜粋）：

長方形に切断された半導体基板と、前記半導体基板表面上に形成された放熱部分と、前記半導体基板の長手方向に沿って前記半導体基板の底面側から形成されかつ前記放熱部分直下の前記半導体基板表面近傍まで到達する溝と、前記溝に形成されかつ前記溝を埋めるように形成された伝熱金属とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/804 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/34 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/80 V ,  H01L 23/12 J ,  H01L 29/80 B