特許
J-GLOBAL ID：200903045359895053
固体撮像装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-101179
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310697
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 受光領域以外の部分への光の入射漏れを防止することができる構造を有する固体撮像装置を提供する。【構成】 シリコン半導体基板の表層部分にそれと異なる種類の不純物層を拡散形成することによって得られるPN接合型フォトダイオードを有する固体撮像装置であって、上記不純物層を所定の受光領域の範囲を含めてその範囲より外側まで拡張して拡散形成し、受光領域及び上記受光領域範囲の外側ないし上記不純物層の拡散形成された外縁までの内の中間範囲までは薄く且つ該中間範囲の外側では厚い段付き形状のシリコン酸化膜を不純物層と半導体基板の上面に形成し、上記受光領域を除く部分の上記シリコン酸化膜の上面に遮光性を有する遮光膜を上記不純物層とは接触することなく形成した。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板の表層部分にそれと異なる種類の不純物層を拡散形成することによって得られるPN接合型フォトダイオードを有する固体撮像装置であって、前記不純物層は、所定の受光領域の範囲を含めてその範囲より外側まで拡張して拡散形成され、上記受光領域及び、上記受光領域範囲の外側ないし上記不純物層の拡散形成された外縁までの内の中間範囲までは薄く且つ該中間範囲の外側では厚い段付き形状のシリコン酸化膜が、前記不純物層と半導体基板の上面に形成され、上記受光領域を除く部分の上記シリコン酸化膜の上面には、遮光性を有する遮光膜が上記不純物層とは接触することなく形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
引用特許：
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