表面加工方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-290293
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124191
出願日： 1998年10月13日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】半導体などの表面処理においてエッチングしたい物質とそのマスク材とのエッチング速度の比、すなわち選択比を高くする。【解決手段】プラズマを用いた表面処理方法において、被エッチング物質のマスク材として酸化膜、窒化膜を用い、プラズマ中のイオンを加速するためのバイアス電源を繰返しオンオフ制御する。

請求項（抜粋）：

試料が配置された真空容器内にプラズマを発生させ、試料にバイアス電圧を印加しながら該プラズマにより試料をエッチングする表面加工方法において、前記試料に形成された被加工物のマスク材料として主成分に炭素を含まない層を用い、かつ試料台に印加するバイアス電圧を周期的にオンとオフに制御することを特徴とする表面処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (3件)：

H01L 21/302 F , C23F 4/00 D , C23F 4/00 G

Fターム (35件)：

4K057DA13 , 4K057DB01 , 4K057DB05 , 4K057DB06 , 4K057DB08 , 4K057DD01 , 4K057DE01 , 4K057DE04 , 4K057DE06 , 4K057DE08 , 4K057DE11 , 4K057DE14 , 4K057DG15 , 4K057DM18 , 4K057DM20 , 4K057DM22 , 4K057DM29 , 5F004AA05 , 5F004BA14 , 5F004BB14 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB02 , 5F004DB09 , 5F004DB10 , 5F004EA06 , 5F004EA07

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