半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：諸田英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-260698
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085085
出願日： 1992年09月03日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】Al系金属/バリアメタルから成る積層電極配線形成後のレジスト剥離工程で、バリアメタルが反応ガス中のF*でエッチングされるのを防止し、また電極配線のコンタクトホールにおける段差力バレッジ及びコンタクト抵抗の良好な状態を損なうことのない半導体装置の製造方法を提供する。【構成】絶縁膜上にバリアメタル14を堆積した後、基板全面をポリッシングして、絶縁膜上のバリアメタルを除去すると共にコンタクトホールの側面及び底面に十分な厚さのバリアメタルを残す。その後、Al 系金属膜を堆積し、バリアメタルが表面に露出しないように該金属膜をパターニングして電極配線を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜にコンタクトホールを開口する工程と、前記コンタクトホールを含む絶縁膜上にバリアメタルを堆積する工程と、基板全面をポリッシングして絶縁膜上のバリアメタルを除去すると共にコンタクトホールの側面及び底面にバリアメタルを残す工程と、前記コンタクトホールを含む絶縁膜上にAl 系金属膜を堆積する工程と、ホトリソグラフィ法により、前記バリアメタルが表面に露出しないように前記絶縁膜上のAl 系金属膜をパターニングして電極配線を形成した後、レジストを剥離する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/90 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/88 R

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