特許

J-GLOBAL ID：200903045379072525

エッチングの後処理方法

発明者： 戸田 昭仁
出願人/特許権者： 東京エレクトロン山梨株式会社
代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-354411
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321090
出願日： 1992年12月16日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 エッチング処理により材料の表面に付着されたポリマーを除去して、次工程の処理時間の短縮及びエッチングの再現性を良好にする。【構成】 SiO2 膜31及びフォトレジスト層32が形成された半導体ウエハWが搬入された処理容器内を低圧雰囲気にし、CF4 +CHF3 +Arを混合したエッチングガスを供給すると共に、プラズマにより半導体ウエハWのSiO2膜31及びフォトレジスト層32をエッチングする。エッチング処理後、CF4+Arを混合した処理ガスを使用して後処理を行う。これにより、エッチング処理により半導体ウエハWの表面に形成されたポリマー34を除去することができる。

請求項（抜粋）：

低圧雰囲気において、フッ素(F)系及びフッ素-水素(F-H)系のエッチングガスを使用して被エッチング膜をエッチングした後、上記エッチングガスから水素(H)を除いたフッ素(F)系処理ガスを使用して、エッチングにより被処理体の表面に生成されたポリマーを除去することを特徴とするエッチングの後処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 1/00 104 ,  C23F 4/00

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平4-022961
  
• 特開平4-152521
  
• 特開昭61-097824
  
• 特開昭4-129225