特許
J-GLOBAL ID：200903045380331119
半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-360524
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182925
出願日： 1991年12月30日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 酸素や炭素などの不純物の混入が抑制されたポリサイド構造が得られ、密着性良好で、低抵抗、かつ良好な形状のゲートを得ることができる半導体装置の製造方法及び製造装置の提供。【構成】 半導体基板1上にWSix等の高融点金属シリサイド5を堆積する工程を有する半導体装置の製造の際、高融点金属シリサイド5を堆積する直前に、ポリSi等の被堆積部4に、2以上の工程を備えたプラズマドライ前処理、例えば、最初の工程として、CF系等の堆積性のガスを用いた処理を行い(図1(a))、最終の工程として、Hやハロゲン系の被堆積部表面を安定化するガスを用いた処理を行う(図1(b))。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に高融点金属シリサイドを堆積する工程を有する半導体装置の製造方法において、高融点金属シリサイドを堆積する直前に、被堆積部に、2以上の工程を備えたプラズマドライ前処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/302
