特許

J-GLOBAL ID：200903045383272180

電界効果トランジスタ

発明者： 安富 敬三
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-398062
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197646
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 InGaN層をチャネル層として用いるとともに、点欠陥や組成不均一の影響を顕著に軽減でき、ひいてはその特性上の高い可能性を十分有効に引き出して大出力・高速化が可能な電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 HEMT3は、チャネル層119が、SiドープされたInGaN層119aを有する。SiドープされたInGaNの採用により、チャネル層119中の電子散乱が効果的に抑制される。また、チャネル層119は、InGaN層119aを井戸層として含む多重量子井戸層として構成することができる。チャネル層119を多重量子井戸層として構成すると、電子の基底状態付近の状態密度が増加するので、電流に寄与する電子濃度を高めることができる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体からなる電子供給層と、該電子供給層にヘテロ接合される化合物半導体からなるチャネル層とを有する電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層が、SiドープされたInGaN層を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

Fターム (18件)：

5F102FA00 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GL08 ,  5F102GL20 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01