特許
J-GLOBAL ID：200903045385001087
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-082196
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296016
出願日： 1993年04月08日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【構成】多結晶シリコン層をゲート電極に有する半導体装置において、結晶構造の異なる二層以上の多結晶シリコン層を有するゲート電極構造とする。シリコン基板1上のシリコン酸化膜2を形成後、第一多結晶シリコン層3をCVD法により堆積する。しきい値電圧調整用のイオン注入等の工程後、多結晶シリコン層3と異なった結晶構造を有する第二多結晶シリコン層4をCVD法により堆積する。多結晶シリコン層を、エッチングし、ボロンをイオン注入し、P型拡散層5を形成する。第一多結晶シリコン層は形成時にアモルハスシリコンとして成長し、その後の熱処理で粒径の非常に小さい多結晶となり、第二多結晶シリコン層は形成時にすでに多結晶状態で、その後の熱処理で結晶粒径が比較的大きくなる。【効果】チャネリングによるボロンの突き抜けを防止できる。ゲート酸化膜の信頼性が向上し、しきい値電圧の変動等を防止できる。
請求項（抜粋）：
半導体装置のゲート電極構造において、異なる形成方法にて形成した少なくとも二層以上の多結晶シリコン層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/28 301
, H01L 29/62
