特許
J-GLOBAL ID：200903045393273460
イオン注入装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-075288
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267491
出願日： 1993年03月09日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 フラグファラデーからの反射ビームによる汚れが箱体の内面に蓄積し難くなるようにする【構成】 フラグファラデー5を囲むファラデー箱3の内面に複数の突起4を設ける。イオンビーム1の照射によりフラグファラデー5で反射した反射ビーム7は、突起4のフラグファラデー5側の面4aに衝突し、汚れはこの面4aに集中する。突起4のサプレッサ電極2側の面4bは反射ビーム7の影となり、この面4bに汚れが蓄積することはなく、反射ビーム7の電荷が捕集される。【効果】 汚れの蓄積しない面を確保できるので、ビーム電流を安定して正確に測定することができ、ビーム電流の測定誤差を最小にすることができる。
請求項（抜粋）：
イオン源から発生したイオンビームをフラグファラデーに衝突させ、少なくともフラグファラデーからの反射ビームを前記フラグファラデーを収容する箱体で捕集することによりビーム電流を測定するビーム電流測定手段を備えたイオン注入装置において、前記箱体の内面に、前記フラグファラデーに対して直接対向する面と前記フラグファラデーに対して直接対向しない面とを有する突起を設けたことを特徴とするイオン注入装置。
IPC (3件)：
H01J 37/317
, H01J 37/04
, H01L 21/265
H01L 21/265 T
, H01L 21/265 D
