特許

J-GLOBAL ID：200903045398397184

超電導膜の作製方法及び超電導トランジスタの作製方法

発明者： 槙田 毅彦 ,  荻原 光彦 ,  阿部 仁志
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-128632
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338637
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】 超電導トランジスタのベースとして、ピンホールのない膜厚100A°オーダーの超電導膜を作製する。【構成】 成膜面34a をNbドープSrTiO 3 基板34の(110)面とし、この成膜面34a 上に、オゾンガスとBa、Rb及びBiの分子線とを供給して分子線エピタキシー法により、(Ba,Rb)BiO3 超電導膜38を作製する。この際、Ba分子線強度/Bi分子線強度を3以上3.5以下、好ましくは3.2とする。成膜面34a 及びBa分子線強度/Bi分子線強度をこのように定めることにより、膜厚120A°程度の非常に薄い超電導膜38を作製できる。しかも膜表面の凹凸を小さくでき従って膜厚を均一化することができるので、ピンホールのない超電導膜38を作製できる。

請求項（抜粋）：

SrTiO3 基板の成膜面上に、Ba、Rb及びBiの各分子線と酸化ガスとを供給して分子線エピタキシー法により、(Ba,Rb)BiO3 超電導膜を作製するに当り、前記成膜面を(110)基板面としたことを特徴とする超電導膜の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 39/24 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01L 39/22 ZAA