特許

J-GLOBAL ID：200903045398502239

薄膜トランジスタ

発明者： バートラム ジョセフ バットロッグ ,  クリスチャン クロック ,  ジャン ヘンドリック ション
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-350697
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177109
出願日： 2000年11月17日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 相補デバイスを形成するために二つの異なる材料の調製または蒸着を必要とする集積CMOS回路。【解決手段】 半導体が、アンビポーラー有機材料である薄膜トランジスタのCMOS集積回路。好適な材料は、テトラセンとペンタセンである。これらのCMOSデバイスにおいては、テトラセンまたはペンタセンの一つの均質な層を、nタイプ(反転)デバイスおよびpタイプ(累積)デバイスの両方で使用することができる。

請求項（抜粋）：

集積回路CMOSデバイスであって、a.全体的に均質な組成を持つアンビポーラー有機半導体材料を含む基板と、b.第一のMOSトランジスタおよび第二のMOSトランジスタを備える前記基板上に形成された一組の電界効果トランジスタ・デバイスであって、それぞれが、i.前記基板上のソース電極と、ii.前記基板上に位置していて、その間にチャネルを形成する場所を残して、前記ソース電極から間隔をおいて位置するドレーン電極と、iii.前記ソース電極と前記ドレーン電極の両方を覆っている誘電体層と、iv.前記チャネル位置の上に位置するゲート電極と、を備える前記基板上に形成された一組の電界効果トランジスタ・デバイスと、c.実施形態第一のMOSトランジスタまたは前記第二のMOSトランジスタのゲート電極にバイアスを掛けるための手段とを備える集積回路CMOSデバイス。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 51/00

FI (6件)：

H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 27/08 321 A ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 626 C