特許
J-GLOBAL ID:200903045416993970
半導体デバイス用基板の洗浄液および洗浄方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岡田 数彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-016206
公開番号(公開出願番号):特開2003-289060
出願日: 2003年01月24日
公開日(公表日): 2003年10月10日
要約:
【要約】【課題】半導体デバイス用基板に於いて、基板表面を腐食することなく、基板表面に付着した微粒子や有機汚染を洗浄により除去し、基板表面を高度に清浄化する基板表面の洗浄液および洗浄方法を提供する。【解決手段】少なくとも、以下の成分(A)、(B)及び(C)を含有することを特徴とする半導体デバイス用基板の洗浄液および当該洗浄液を使用した洗浄方法。成分(A):置換基(フェニル基を除く)を有していてもよい炭化水素基とポリオキシエチレン基とを有し、炭化水素基中の炭素数(m)とポリオキシエチレン基中のオキシエチレン基数(n)の比率(m/n)が1〜1.5であり、炭素数(m)が9以上、オキシエチレン基数(n)が7以上であるエチレンオキサイド型界面活性剤。成分(B):水成分(C):アルカリ又は有機酸
請求項(抜粋):
少なくとも、以下の成分(A)、(B)及び(C)を含有することを特徴とする半導体デバイス用基板の洗浄液。成分(A):置換基(フェニル基を除く)を有していてもよい炭化水素基とポリオキシエチレン基とを有し、炭化水素基中の炭素数(m)とポリオキシエチレン基中のオキシエチレン基数(n)の比率(m/n)が1〜1.5であり、炭素数(m)が9以上、オキシエチレン基数(n)が7以上であるエチレンオキサイド型界面活性剤。成分(B):水成分(C):アルカリ又は有機酸
IPC (9件):
H01L 21/304 647
, H01L 21/304 642
, H01L 21/304 643
, H01L 21/304 644
, C11D 1/72
, C11D 3/04
, C11D 3/20
, C11D 3/30
, C11D 3/34
FI (9件):
H01L 21/304 647 A
, H01L 21/304 642 A
, H01L 21/304 643 A
, H01L 21/304 644 A
, C11D 1/72
, C11D 3/04
, C11D 3/20
, C11D 3/30
, C11D 3/34
Fターム (12件):
4H003AC07
, 4H003BA12
, 4H003DA15
, 4H003DC04
, 4H003EA23
, 4H003EB08
, 4H003EB13
, 4H003EB19
, 4H003EB22
, 4H003ED02
, 4H003FA07
, 4H003FA28
引用特許:
出願人引用 (9件)
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半導体基板洗浄液
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-138881
出願人:三菱瓦斯化学株式会社
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特許第3169024号公報
-
ウエハ洗浄液
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-211163
出願人:ダイキン工業株式会社
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審査官引用 (6件)
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