特許
J-GLOBAL ID:200903045417055990

電気機器

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-117444
公開番号(公開出願番号):特開2001-308355
出願日: 2000年04月19日
公開日(公表日): 2001年11月02日
要約:
【要約】【課題】 光起電力素子を有し、該光起電力素子に光を照射したときに発生する電力を熱源、光源、動力源、又は制御用信号として使用する電気機器であって、屋内のように、例えば50mW/cm2以下、特に10mW/cm2以下の弱い強度の光しか照射できない状況でも機能低下を来したりせず、また、機能を確保するための付属部品を必要とすることのない電気機器を提供する。【解決手段】 光起電力素子として、n型不純物半導体であるシリコン系薄膜とp型不純物半導体であるシリコン系薄膜とが真性半導体であるシリコン系薄膜を介して接合され、且つこれらシリコン系薄膜の少なくとも1つが例えば0.005原子%〜5原子%の濃度の塩素原子を含有するシリコン系薄膜である積層体を構成要素とする光起電力素子を使用する。
請求項(抜粋):
光起電力素子を有し、該光起電力素子に50mW/cm2以下の強度の光を照射したときに発生する電力を熱源、光源、動力源、又は制御用信号として使用する電気機器であって、前記光起電力素子がn型不純物半導体であるシリコン系薄膜とp型不純物半導体であるシリコン系薄膜とが真性半導体であるシリコン系薄膜を介して接合され、且つこれらシリコン系薄膜の少なくとも1つが塩素原子を含有するシリコン系薄膜である積層体を構成要素とすることを特徴とする電気機器。
FI (2件):
H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 Q
Fターム (7件):
5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051BA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CA15 ,  5F051DA04

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