特許
J-GLOBAL ID:200903045425639349

半導体微粒子分散ガラス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-177918
公開番号(公開出願番号):特開平6-018948
出願日: 1992年07月06日
公開日(公表日): 1994年01月28日
要約:
【要約】【目的】 大きな3次の非線形光学感受率を有し、しかも光吸収係数の小さな半導体微粒子分散ガラスを提供する。【構成】 ガラス1中に、平均粒径が20nm以下である半導体微粒子2を10体積%以上分散させた高密度領域3を、複数個含む半導体微粒子分散ガラスであり、SiO2 及びCdSeをターゲットとした2元の高周波スパッタリングにより、SiO2 基板上に膜厚が1nmのSiO2 及び膜厚が1nmのCdSeを交互に500回堆積させ、500 °Cでアニールし、SiO2 中に平均粒径5nmのCdSe微粒子が20体積%分散した高密度領域とCdSe微粒子が平均で0.1体積%分散している領域の全体に占める割合を体積で1:3とする。
請求項(抜粋):
ガラス中に半導体微粒子が分散された半導体微粒子分散ガラスにおいて、平均粒径が20nm以下である半導体微粒子を10体積%以上分散させた高密度領域を、複数個含むことを特徴とする半導体微粒子分散ガラス。
IPC (2件):
G02F 1/35 505 ,  C03C 4/00

前のページに戻る