特許

J-GLOBAL ID：200903045444701144

ヒートシンク付き半導体装置及びそのヒートシンクの製造方法

発明者： 大槻 哲也 ,  波間 徳方
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-147568
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074287
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】露出型ヒートシンクを有する半導体装置に用いるヒートシンクの安価で高品質な構造及び製造方法を提供する。【構成】リードフレーム1のリードで形成された空間内に配設されそのボンディングパッドがワイヤ5によりリードにそれぞれ接続された半導体素子3と、外周がリードと重なる大きさに形成された高熱伝導性の材料からなり、中央部に直接半導体素子3が配設された凸型状のヒートシンク4aと、リード上に配設され半導体素子をヒートシンクに接着・固定する絶縁物2と、リードの一部及びヒートシンクの凸部頂上面を残して樹脂封止したパッケージ6とからなるヒートシンク付き半導体装置であって、絶縁物2はリードの一部を覆い、ヒートシンク4の外周端縁に接する内側面に沿うテープ形状のものとし、ヒートシンク4はその凸部頂上部がその側面部の最小面積より大きく、側面部がえぐれた形状を有する。

請求項（抜粋）：

空間部及び複数のリードを有するリードフレームの前記空間部内に配設された半導体素子と、前記複数のリードと前記半導体素子に設けられた複数のパッドとを各々電気的に接続するワイヤと、高熱伝導性の材料からなり、前記リードの一部と重なる大きさに形成され前記半導体素子が載置される底面と前記底面とは反対面に突起した突起部とからなり、前記突起部の頂上面の一辺の長さを前記突起部における所定部分の対向する1対の側面間の距離より大きく形成した凸型ヒートシンクと、前記リードと前記凸型ヒートシンクとを各々所定距離離し、かつ前記リードと前記底面との重なる間の一部を接合するように配設された絶縁物と、前記リード、前記半導体素子、前記ワイヤ及び前記頂上面を除く前記凸型ヒートシンク及び前記絶縁物を封止する樹脂とからなる凸型ヒートシンク付き半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-029562
  
• 特開昭62-039040