特許

J-GLOBAL ID：200903045447349964

窒化物系化合物半導体発光素子

発明者： 奥田 昌宏 ,  江崎 琢
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-035170
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246642
出願日： 2001年02月13日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 例えば、InxGa1-xNを発光活性層に持つ発光素子においても、低いInの混晶比でも、長波長側に大きく発光波長をシフトさせる事が可能になり、十分な寿命を有し、且つ青色から赤色など幅広い波長領域において発光波長を選択することができる窒化物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 半導体絶縁性の基板101の上に、格子緩和が十分生じる膜厚を有する第1の半導体層103が積層され、103の上に第1の半導体よりもバンドギャップが小さく、かつ、第1の半導体と格子整合しない第2の半導体層104が積層され、104の上に電子および正孔がトンネルできる十分、薄い第1の半導体と同じか、第1の半導体よりもバンドギャップの小さい第3の半導体層105が積層していて、105の上部にpn接合を形成する第4の半導体層106、第5の半導体層107が順次積層された構造を有する事を特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくともGa及びNを元素として含む窒化ガリウム系の化合物半導体発光素子において、半導体、或は、絶縁性の基板の上に、格子緩和が十分生じる程度の厚い膜厚を有する第1の半導体層が積層され、該第1の半導体層の上に該第1の半導体よりもバンドギャップが小さく、かつ、第1の半導体と格子整合しない第2の半導体層が積層され、さらに、該第2の半導体層の上に電子および正孔がトンネルできる十分、薄い第1の半導体と同じか、あるいは、第1の半導体よりもバンドギャップの小さい第3の半導体層が積層していて、さらに、該第3の半導体層の上部にpn接合を形成する第4の半導体層、第5の半導体層が順次、積層された構造を有する事を特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Fターム (37件)：

5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CB22 ,  5F041FF11 ,  5F041FF13 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA56 ,  5F045DA63 ,  5F045EB13 ,  5F045EB15 ,  5F045HA01 ,  5F045HA04