特許

J-GLOBAL ID：200903045453087564

半導体装置及びその製造方法

発明者： 北村 昌良
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-366533
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185507
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】 シリコンカーバイド基板に、特性劣化のないオーミック電極あるいはショットキー電極を形成する。【解決手段】 シリコンカーバイド基板上に、不純物が添加された金属シリサイド層を含む金属電極を備える。この金属シリサイド層は、不純物を添加したシリコン膜上に金属膜を形成した後、加熱処理することによって形成する。

請求項（抜粋）：

シリコンカーバイド基板上に、金属電極を備えた半導体装置において、該金属電極は、不純物が添加された金属シリサイド層を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/872

FI (6件)：

H01L 21/28 301 F ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 29/46 S ,  H01L 29/46 F ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/48 D

Fターム (18件)：

4M104AA03 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB34 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD55 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  4M104HH17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-008916
  
• 特開昭63-148625