特許

J-GLOBAL ID：200903045453399043

GaN系の半導体素子

発明者： 柴田 直樹
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065880
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261035
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【目的】 結晶性の高いInGaN層を有する新規な構成のGaN系の半導体素子を提供することを目的とする。【構成】 InGaN層を同じ組成の下地層の上に形成する。下地層の組成を連続的又は段階的に変化させてもよい。

請求項（抜粋）：

基板と、バッファ層と、In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X<1)からなる第1の層と、In<SB>Y</SB>Ga<SB>1-Y</SB>N(0<Y<1、Y≠X)からなる第2の層と、が順次積層された構造を備えてなるGaN系の半導体素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 A

Fターム (8件)：

5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA60 ,  5F041CA65