特許
J-GLOBAL ID：200903045453991554
反射防止膜材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-290480
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050129
出願日： 1995年10月12日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 微細で寸法精度及び合わせ精度が高く簡便で生産性が高く、再現性良くレジストパターンを形成し得、安価で環境に安全な反射防止膜材料を得る。【構成】 基盤上に形成したフォトレジスト層上に形成され、露光後に溶剤で除去される透明な反射防止膜を形成する反射防止膜において、下記一般式(1)で示される水に可溶なフッ素系樹脂とフッ素含有有機酸のアミン塩とを主成分とする反射防止膜材料。モノマーユニットの組成比はおよそk:m:n=4:3:3である。
請求項（抜粋）：
基板上に形成したフォトレジスト層上に形成され、露光後に溶剤で除去される透明な反射防止膜を形成する反射防止膜において、下記一般式(1)で示される水に可溶なフッ素系樹脂とフッ素含有有機酸のアミン塩とを主成分とすることを特徴とする反射防止膜材料。【化1】(但し、式中R1は水素原子又はメチル基、R2は-(CH2)a(CF2)bX又は-CR9R10R11、R3は水素原子、メチル基又はカルボキシル基、R4は水素原子、メチル基、カルボキシル基又は-CH2COOH、R5はカルボキシル基、スルホ基、-C(=O)YR12COOH又は-C(=O)YR12SO3H、R6は水素原子、メチル基又は-COONR13R14R15R16、R7は水素原子、メチル基、-COONR13R14R15R16又は-CH2COONR13R14R15R16、R8は-COONR13R14R15R16、-SO3NR13R14R15R16、-C(=O)YR12COONR13R14R15R16又は-C(=O)YR12SO3NR13R14R15R16、R9〜R11は水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基で、R9〜R11のうち少なくとも2つはフッ素原子又はトリフルオロメチル基、R12は炭素数1〜6の直鎖もしくは分岐状のアルキレン基、R13〜R16は水素原子、炭素数1〜8の直鎖もしくは分岐状のアルキル基又はフッ化アルキル基である。また、Xは水素原子又はフッ素原子、Yは-O-又は-NH-であり、aは0〜2、bは1〜8の整数、kと(m+n)の比はk:(m+n)=1:9〜9:1であり、kは正数、m及びnは0又は正数である。)
IPC (4件)：
G03F 7/11 501
, G03F 7/004 506
, G03F 7/30
, H01L 21/027
G03F 7/11 501
, G03F 7/004 506
, G03F 7/30
, H01L 21/30 569 F
, H01L 21/30 574
