特許

J-GLOBAL ID：200903045462538951

薄膜形成装置

発明者： 秋田 典孝 ,  小倉 伸一
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 佐藤 祐介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-121488
公開番号（公開出願番号）：特開平10-298751
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：

【要約】【課題】 基板の搬送系を不要としてスパッタによる成膜とCVDによる成膜とを行う。【解決手段】 一つの真空チャンバ11内に配置されるターゲット14に対して、電圧印加装置15によって電圧を選択的に加えるとともに、ガス導入系16によってチャンバ11内に導入するガスを選択し、ターゲット14にイオンを衝突させて原子を弾き出して基板13に付着させるスパッタ成膜と、ターゲット14にイオンを衝突させずに反応ガスのイオンを基板13に付着させるCVD成膜とを順次行う。

請求項（抜粋）：

一つの真空チャンバと、該真空チャンバに連結されたECRプラズマ発生手段と、上記チャンバ内に所定の磁界を発生させる磁界発生手段と、不活性ガスおよび反応ガスを上記真空チャンバに導入するガス導入手段と、上記真空チャンバ内に配置されたターゲットと、上記ターゲットおよび真空チャンバ内に配置される基板に負の電圧を印加する電圧印加手段と、上記ガス導入手段および電圧印加手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/58 ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/85

FI (4件)：

C23C 14/34 T ,  C23C 14/58 Z ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/85 Z