デュアルウエハー付設法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-514479
公開番号（公開出願番号）：特表2003-506871
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2003年02月18日
要約：

【要約】接合する分離した基板上に微細構造体を製造する構成にある。構造体の一方は感温CMOS電子素子にできる。一方のウエハー上の高温熱センサ及び低温CMOS電子素子を与えることができる。接合材がポリイミドである場合、接合する両面上のポリイミドはソフト焼付けされる。ウエハーはウエハー接合材内に配置され、正確整合法により接触される。圧力及び熱を加えることにより、ポリイミドの2被覆が接合される。一のウエハーは組み合わされた構造体から除去される必要がある。接合された構造体の一方はエッチング処理可能な犠牲層上に配置され研磨することなくウエハーを容易に除去可能である。ウエハーを除去した後ポリイミド上の構造体の一方の背面からウエハー上の他方へコンタクトを形成できる。犠牲材料は例えばポリイミドであり、コンタクトを介し接続される構造体間から除去可能である。微細構造体は結晶質、非晶質にかかわらず単一層あるいは多層材料のような微細構造体ではないものと接合可能である。

請求項（抜粋）：

低温微細電子素子を有し第1の組の接続部を有する第1のウエハーを形成する工程と、第1の組の接続部と整合するよう鏡面対称の第2の組の接続部を有する第1のウエハーを高温で形成する工程と、第1のウエハーの頂部側上にポリイミド層を塗布する工程と、第2のウエハーの頂部側上にポリイミド層を塗布する工程と、第1及び第2のウエハーをソフト焼付けする工程と、第1及び第2のウエハーの頂部側を互いに対向させる工程と、第1及び第2のウエハーを互いに整合させる工程と、非酸化環境下である温度及び圧力下で第1及び第2のウエハーを接合する工程と、ポリイミド層をエッチング処理し組をなす接続部まで貫通するホールを形成する工程と、導電性材料をホール内にスパッタリング処理して組をなす接続部に対し接触させる工程とを包有する少なくとも一方が高微細構造を有する第1及び第2のウエハーを付設する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 21/02 B , H01L 27/08 321 G

Fターム (5件)：

5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048CB01 , 5F048CB03 , 5F048CB04

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平1-133341
特開昭63-177451

審査官引用 (6件)

特開昭63-177451
特開昭63-177451
特開昭63-177451

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