特許
J-GLOBAL ID：200903045468840420
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-186775
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031809
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【構成】 本発明は、ウエーハ(1) 上にポリアミド酸樹脂膜(2) を形成した後、ウエーハ最外周部に有機溶剤(5) を吐出してポリアミド酸樹脂の厚膜部分(3) のみを選択的に溶解除去し、均一なポリアミド酸樹脂膜を形成する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法である。【効果】 本発明の半導体装置の製造方法によれば、ウェーハ上に均一なポリイミド膜を形成できるので、ラッピング(研削)工程時のクラックの発生などを防止し、歩留りに優れた半導体装置を製造することができる。
請求項（抜粋）：
ウエーハ上にポリアミド酸樹脂膜を形成した後、ウエーハ最外周部に有機溶剤を吐出してポリアミド酸樹脂の厚膜部分のみを選択的に溶解除去し、均一なポリアミド酸樹脂膜を形成する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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