特許

J-GLOBAL ID：200903045469975281

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 井上 博元 ,  中口 佳祐
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-204627
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036603
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】 バックチャネル部の形成において、オフ電流やVthシフト等の増加を引き起こさず、半導体層の薄膜化が図られ、さらにバックチャネル部への電荷蓄積の影響を受けない液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法を得る。【解決手段】 ソース・ドレイン電極配線7間に露出したコンタクト層5を陽極化成処理により酸化させ、膜厚方向に多数の孔を有する酸化絶縁膜9を形成する。次に、酸化絶縁膜9が形成されたソース・ドレイン電極配線7間に窒素プラズマを照射し、半導体層4と酸化絶縁膜9界面に窒化絶縁膜11を設ける。または、ソース・ドレイン電極配線7間に露出したコンタクト層5上にアルミ被膜16を設け、コンタクト層5をアルミシリサイド膜17に改質し、さらに、陽極化成処理等によりアルミシリコン系酸化絶縁膜18を設ける。これにより、液晶表示装置用薄膜トランジスタの特性安定化と生産性向上が図られる。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板上に形成されたゲート電極配線上に、ゲート絶縁膜、チャネル部を形成するa-Si:Hよりなる半導体層、n型不純物半導体よりなるコンタクト層を連続して成膜し、上記半導体層及び上記コンタクト層をアイランド状にパターニングする工程、上記基板上に金属薄膜を成膜し、パターニングによりソース・ドレイン電極配線を形成する工程、上記ソース・ドレイン電極配線間に露出した上記コンタクト層を酸化させ、膜厚方向に多数の孔を有する酸化絶縁膜を形成する工程、上記酸化絶縁膜が形成された上記ソース・ドレイン電極配線間に窒素プラズマを照射し、上記半導体層と上記酸化絶縁膜の界面に窒化絶縁膜を形成する工程を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (3件)：

H01L 29/78 616 L ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 619 A

Fターム (46件)：

2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA38 ,  2H092JA39 ,  2H092JA42 ,  2H092JA43 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB27 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB36 ,  2H092JB38 ,  2H092JB56 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092KB05 ,  2H092KB14 ,  2H092KB23 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA24 ,  2H092MA27 ,  2H092MA31 ,  2H092MA34 ,  2H092MA35 ,  2H092MA41 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  2H092PA02 ,  2H092PA06