特許

J-GLOBAL ID：200903045470809093

強誘電体素子

発明者： 鎌田 健 ,  藤井 覚 ,  友澤 淳 ,  高山 良一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-089222
公開番号（公開出願番号）：特開平9-280947
出願日： 1996年04月11日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 密着層を用いた構成により、電極剥離による素子破損や特性不良を抑制することができ、製造歩留まりの向上が可能な強誘電体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板11として(100)面MgO単結晶基板を用い、その上に密着層12のTi膜を配置し、その上に下部電極13のPt膜を配置し、その上に強誘電体膜14としてPb0.9La0.1Ti0.975O3(PLT)膜を配置し、その上に上部電極15のNi-Cr膜が配置された構成をとる。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に下部電極を配置し、前記下部電極上に強誘電体膜を配置し、前記強誘電体膜上に上部電極を配置した強誘電体素子において、前記基板と前記下部電極の間に密着層を配置した強誘電体素子。

IPC (10件)：

G01J 1/02 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187

FI (7件)：

G01J 1/02 Y ,  H01L 37/02 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 強誘電体薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-316192   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置の記録方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-174124   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭62-211520
  
• 誘電体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-175378   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 容量素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-055733   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開昭62-211520