特許

J-GLOBAL ID：200903045470975430

温度検出装置、これを搭載した半導体素子およびこれを用いたオートフォーカスシステム

発明者： 真城 康人
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292527
公開番号（公開出願番号）：特開平9-133587
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】 被測定デバイスのチップへのオンチップ化が難しく、被測定デバイスの温度変化を正確に検出できなかった。【解決手段】 MOSトランジスタM0を設けるとともに、ある特定のMOSトランジスタのゲート下の空乏時のポテンシャルを検出し、この検出出力を基準電圧Vrefと比較しつつこのMOSトランジスタのゲート電圧を制御するポテンシャル制御回路10を設け、このポテンシャル制御回路10によってMOSトランジスタM0のゲート電圧を制御しつつ、このMOSトランジスタの電流の変化分から温度を検出するようにする。

請求項（抜粋）：

第1のMOSトランジスタを有し、この第1のMOSトランジスタのゲート下の空乏時のポテンシャルを検出し、この検出したポテンシャルに基づいて前記第1のMOSトランジスタのゲート電圧を制御するポテンシャル制御回路と、前記ポテンシャル制御回路によってゲート電圧が制御されかつその出力を温度出力とする第2のMOSトランジスタとを備えたことを特徴とする温度検出装置。

IPC (5件)：

G01K 7/01 ,  G02B 7/28 ,  G03B 13/36 ,  H01L 23/58 ,  H04N 5/232

FI (5件)：

G01K 7/00 391 M ,  H04N 5/232 H ,  G02B 7/11 N ,  G03B 3/00 A ,  H01L 23/56 D