特許

J-GLOBAL ID：200903045473054980

半導体レーザ装置とその製造方法

発明者： 穴山 親志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-304514
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162077
出願日： 1993年12月06日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体発光装置、特に短波長帯のレーザ素子のレーザ出力の端面破壊レベル低減化に関し、元の結晶の端面付近の組成を変化させた場合に、格子不整合に起因する転位がレーザ端面から入らない方法を提案する。【構成】 レーザ1がAlGaInPまたはGaInPからなるクラッド層3と、砒素組成の小さなGaInAsPからなる活性層4とで構成され、且つ、レーザ1の片側または両側の端面1aが、砒素組成の小さなGaInAsPまたはGaInPからなるこのクラッド層3で構成される。

請求項（抜粋）：

AlGaInPまたはGaInPからなるクラッド層(3) と、GaInAsPからなる活性層(4) と、レーザ(1) の片側、または両側の端面(1a)が、GaInAsP又はGaInPからなることを特徴とする半導体レーザ装置。