特許

J-GLOBAL ID：200903045474137693

半導体装置及びその製造方法

発明者： 岩切 隆志 ,  柿崎 敬俊 ,  黒田 茂 ,  木村 紳一郎 ,  山中 俊明 ,  田中 稔彦 ,  後藤 康
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-292913
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114488
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 キャパシタ等の機能部の高さを増すことなしにその表面積を大きく保持すること等、有効面積を拡大できる構造と、その効果的な製造方法を提供すること。【解決手段】 2枚の露光マスク70、71又は80、81を用いて(従って、露光を2回に分けて)それぞれストライプパターンに露光を行うことにより、1枚の露光マスクで一度に露光する場合に比べて光の干渉をなくし、得られたマスク73のパターンを所望の露光パターン(例えば短辺:長辺=1:3)にほぼ相当した形状に形成できる。この結果、作製された下部電極23も上記露光パターンに対応して作製された導電層23の表面積(従ってキャパシタとして使用する有効面積)が増大し、キャパシタの素子としての高さ(即ち導電層23の高さ)を増すことなしにキャパシタ表面積を増大させることができ、他のプロセスに負担を強いることがない。

請求項（抜粋）：

第1の遮光又は透光パターンを有する第1の露光マスクを用いてエッチングマスク材料を所定パターンに露光する第1の露光工程と、前記第1の遮光又は透光パターンとは交差する第2の遮光又は透光パターンを有する第2の露光マスクを用いてエッチングマスク材料を所定パターンに露光する第2の露光工程と、前記第1及び第2の露光工程後の現像処理によって、前記エッチングマスク材料を平面形状が所定形状の輪郭をなすエッチングマスクに加工する工程と、前記エッチングマスクを用いて、この下部に存在する機能部形成用の材料をエッチングする工程とこのエッチング工程を経て、平面形状の角部がこれに隣接する短辺を半径とする円弧よりも小さい円弧をなす形状の機能部を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/04 C

Fターム (23件)：

5F038AC01 ,  5F038AC05 ,  5F038AC11 ,  5F038AV06 ,  5F038BH07 ,  5F038CA01 ,  5F038DF05 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083GA30 ,  5F083JA19 ,  5F083JA32 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5F083NA02 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR39