特許
J-GLOBAL ID:200903045480639765
有機半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-049466
公開番号(公開出願番号):特開2003-249658
出願日: 2002年02月26日
公開日(公表日): 2003年09月05日
要約:
【要約】【課題】 有機半導体層を用いた新規な有機半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の有機半導体装置100は、有機半導体層80と、ドレイン電極30aおよびソース電極30bと、有機半導体層80に対して第1ゲート絶縁層60aを介して配置された第1ゲート電極40aと、有機半導体層80に対して第2ゲート絶縁層60bを介して配置された第2ゲート電極40bとを含む。第1ゲート電極40aおよび第2ゲート電極40bの少なくとも一方がテーパ形状部を有する。
請求項(抜粋):
有機半導体層と、ドレイン電極およびソース電極と、前記有機半導体層に対して第1ゲート絶縁層を介して配置された第1ゲート電極と、前記有機半導体層に対して第2ゲート絶縁層を介して配置された第2ゲート電極と、を含み、前記第1ゲート電極および第2ゲート電極の少なくとも一方が、テーパ形状部を有する、有機半導体装置。
IPC (8件):
H01L 29/786
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 51/00
, H05B 33/14
, H05B 33/26
FI (10件):
G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365 Z
, H05B 33/14 A
, H05B 33/26 Z
, H01L 29/78 617 K
, H01L 29/78 617 N
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/28
, H01L 29/58 G
, H01L 29/78 618 C
Fターム (65件):
3K007BA00
, 3K007CB01
, 3K007CB03
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007GA04
, 4M104AA09
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB09
, 4M104BB14
, 4M104BB17
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104FF01
, 4M104FF08
, 4M104GG04
, 4M104GG09
, 5C094AA07
, 5C094AA13
, 5C094AA24
, 5C094AA43
, 5C094AA53
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094CA25
, 5C094DA09
, 5C094DA13
, 5C094EA05
, 5C094EB02
, 5C094FA01
, 5C094FA02
, 5C094FB01
, 5C094FB14
, 5C094FB20
, 5F110AA04
, 5F110AA09
, 5F110BB01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE08
, 5F110EE23
, 5F110EE30
, 5F110EE38
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110GG05
, 5F110GG22
, 5F110GG41
, 5F110GG42
, 5F110GG58
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK07
, 5F110HK33
, 5F110NN02
, 5F110NN23
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