特許

J-GLOBAL ID：200903045481909430

微細接続孔の形成方法

発明者： 長山 哲治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-177186
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026578
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 マスクにおける開口径の拡大を抑制しながら、安定した開口特性が得られる新たな微細接続孔の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 微細接続孔を形成する膜を有する基板101の前記膜上にマスク層103を形成し、マスク層103上に反射防止膜107を形成し、反射防止膜107に基板101側に向って縮径する孔を形成し、孔を有する反射防止膜107を用いて前記マスク層103に微細接続孔形成用のパターンを形成し、微細接続孔形成用のパターンにしたがって、前記膜に微細接続孔を形成することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造において微細接続孔を形成する方法であって、微細接続孔を形成する膜を有する基板の前記膜上にマスク層を形成する工程と、前記マスク層上に反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜に基板側に向って縮径する孔を形成する工程と、前記孔を有する反射防止膜を用いて前記マスク層に微細接続孔形成用のパターンを形成する工程と、前記微細接続孔形成用のパターンにしたがって、前記膜に微細接続孔を形成する工程と、を具備することを特徴とする微細接続孔の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/302 J