半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343027
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189738
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】導電体を高抵抗化することにより、導電体を断線させることなく冗長回路への切換えを可能にした半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板1上に、絶縁体2を形成し、その上に多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンの導電体3を形成し、その上に上部絶縁体4と保護膜5を形成し、上部絶縁体4と保護膜5の形成後または形成前に導電体3に酸素イオンを注入する。注入直後ではシリコンと注入された酸素とがほとんど結びつていないため、導電体3の抵抗値はほとんど変化がない。冗長回路への切換えが必要になった場合には、シリコンと酸素が活性化され、尚かつ導電体3が昇華しない程度のエネルギーで、導電体3にレーザーを照射すると、活性化された導電体3のシリコンと酸素が結び付いてシリコン酸化膜となり、導電体3の抵抗値が上昇して冗長回路への切換えが行われる。

請求項（抜粋）：

導電体を断線または高抵抗化することにより冗長回路への切換えを行う冗長フューズを備えた半導体装置を製造する方法であって、シリコン基板上の絶縁体上に多結晶またはアモルファスシリコンにより前記導電体を形成する工程と、前記シリコン基板および前記導電体上に上部絶縁体を形成する工程と、前記上部絶縁体の形成前または形成後に前記導電体に酸素イオンを注入する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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