特許

J-GLOBAL ID：200903045484914817

イオン注入方法および電極形成方法

発明者： 大野 茂樹 ,  茂中 尚登 ,  布施 元正 ,  大和田 伸朗
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-211245
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061168
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】イオン注入時に半導体に生成する照射欠陥の除去を容易にすること。及びイオンミキシング法を用いて半導体に電極を形成する場合、ミキシング時に生成する照射欠陥の除去を容易にすることにある。【構成】添加物注入やミキシングする前に、半導体基板を予め非晶質化する。非晶質化は半導体の構成元素を照射して行う。この時、構成元素の照射時のエネルギーを2種類以上にすることにより、照射領域を完全に非晶質化する。イオンの飛程近傍での点欠陥量を減少させる。【効果】イオン注入やミキシング時に生成した欠陥クラスターの除去が容易になる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を液体窒素温度から、半導体の融点(絶対温度)の15%以下の範囲で所定温度とし、一定になるように制御しながら半導体の構成元素を2種類以上の加速電圧で注入し注入領域を非晶質化した後、添加物を注入することを特徴としたイオン注入方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 F