特許
J-GLOBAL ID:200903045488762434
スイッチ回路装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
福島 祥人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-082509
公開番号(公開出願番号):特開2000-277703
出願日: 1999年03月25日
公開日(公表日): 2000年10月06日
要約:
【要約】【課題】 入出力電力特性の向上および小型化が可能なスイッチ回路装置を提供することである。【解決手段】 端子A,B間に複数のFET1が接続され、端子A,C間に複数のFET2が接続され、各FET1のソース・ドレイン間に抵抗3が接続され、各FET2のソース・ドレイン間に抵抗4が接続される。各抵抗3はFET1の素子領域内に設けられ、各抵抗4はFET2の素子領域内に設けられる。複数の抵抗3のうち少なくとも1つの抵抗3の抵抗値が他の抵抗3の抵抗値よりも低く設定され、複数の抵抗4のうち少なくとも1つの抵抗4の抵抗値が他の抵抗4の抵抗値よりも低く設定される。各抵抗3,4が高抵抗を保持するように抵抗3,4が所定の関係を満足する。
請求項(抜粋):
共通端子と第1の端子との間に接続され、かつ第1の制御信号を受けるゲート電極を有する少なくとも1つの第1のトランジスタと、前記共通端子と第2の端子との間に接続され、かつ前記第1の制御信号と相補的に変化する第2の制御信号を受けるゲート電極を有する少なくとも1つの第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタのソース電極とドレイン電極との間にそれぞれ接続された少なくとも1つの第1の抵抗と、前記第2のトランジスタのソース電極とドレイン電極との間にそれぞれ接続された少なくとも1つの第2の抵抗とを備え、前記第1の抵抗は、前記第1のトランジスタの素子領域内に設けられ、前記第2の抵抗は、前記第2のトランジスタの素子領域内に設けられたことを特徴とするスイッチ回路装置。
IPC (5件):
H01L 27/095
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H03H 11/24
, H03K 17/687
FI (4件):
H01L 29/80 E
, H03H 11/24 B
, H01L 27/04 P
, H03K 17/687 G
Fターム (42件):
5F038AR06
, 5F038AR20
, 5F038AR25
, 5F038CA02
, 5F038DF01
, 5F038EZ02
, 5F038EZ20
, 5F102GA03
, 5F102GA17
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GC05
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GS09
, 5F102GV05
, 5J055AX11
, 5J055AX31
, 5J055AX44
, 5J055BX11
, 5J055BX17
, 5J055CX01
, 5J055CX03
, 5J055CX26
, 5J055DX23
, 5J055DX44
, 5J055DX61
, 5J055DX72
, 5J055DX83
, 5J055EY01
, 5J055GX01
, 5J055GX06
, 5J055GX07
, 5J055GX08
, 5J098AA03
, 5J098AA11
, 5J098AC05
, 5J098AC10
, 5J098AC14
, 5J098AC20
, 5J098AD25
, 5J098EA01
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