特許

J-GLOBAL ID：200903045490103685

窒素-3族元素化合物半導体光励起サファイア発光素子

発明者： カリン マイヤー ,  ユルゲン シュナイダー ,  赤崎 勇 ,  天野 浩 ,  真部 勝英
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  フラウンホッファー-ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ. ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-077752
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153996
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】赤色、赤色と青色との混合色、赤色と青色とが平面的に分離配列されたような発光を可能としたコンパクトな発光素子を提供すること。【構成】クロムイオンCr+3が濃度0.05wt%(2 ×1019/cm3) に添加されたサファイア基板1に、順に、500 ÅのAlN のバッファ層2、膜厚約2.2 μm、電子濃度2×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約 1.5μm、電子濃度1 ×1016/cm3の無添加GaN から成る低キャリア濃度n層4、膜厚約0.5 μm、正孔濃度1 ×1016/cm3のMg添加GaN から成る低キャリア濃度p層51、膜厚約0.2 μm、正孔濃度 2×1017/cm3の高キャリア濃度p+ 層52が形成されている。サファイア基板から赤色の光(0.693μm,0.692 μm)が放射された。

請求項（抜粋）：

金属イオンを活性イオンとして含むサファイア基板と、前記サファイア基板上に直接又はバッファ層を介してエピタキシャル成長させた次の少なくとも2種の第1層及び第2層であって、n型の窒素-3族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む)からなる第1層と、p型又はi型(半絶縁性)の窒素-3族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなる第2層と、前記サファイア基板上に積層された半導体層の最上層において形成された、前記第1層及び前記第2層に対する電極とを有し、前記第1層と前記第2層とにより発光された光を前記サファイア基板に入射させ、その光により金属イオンを光励起させ、基底準位への遷移により光を放射させる光励起サファイア発光素子。