特許
J-GLOBAL ID：200903045490992587
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-373465
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196146
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 III 族窒化物半導体を用いて紫外および可視短波長領域から赤外領域で発光する発光素子を実現するための素子構造を提供することにある。【解決手段】 本発明による発光素子は、絶縁性基板をサファイア基板で構成し、このサファイア基板の層形成させるべき面を(0001)c面とし、このサファイア基板のc面上に第1導電型のAlNの緩衝層を介して第1導電型のGaNSi層の第1のクラッド層をエピタキシャル成長し、形成された際1のクラッド層上に単結晶の{InNまたは(およびGa1-x Inx NまたはAl1-x InxN)}の真性活性層InNをMOVPE法により形成し、また第1のクラッド層上に金属電極を形成し、この真性活性層上に第2導電型のキャップ層を形成し、このキャップ層上にMgを添加した第2導電型のAlGaN層を光閉じ込め層として形成し、この層上にMgを添加した第2導電型の第2のクラッド層、GaN層を形成し、この半導体層上に金属電極を形成することを特徴とする。これにより、燐および砒素等の有毒元素を含まない長波長発光素子が可能となる。
請求項（抜粋）：
単結晶構造の絶縁性基板と、この絶縁性基板の上側に形成した第1導電型のGaNの第1のクラッド層と、この第1のクラッド層の上側に形成した活性層と、この活性層の上側に形成され、第2導電型のGaNの第2のクラッド層と、前記第1及び第2のクラッド層にそれぞれ電気的に結合した第1及び第2の電極とを具え、前記活性層をInNで構成し、このInN層の厚さを、5分子のInNの層の厚さ以下の厚さとしたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01S 3/18 677
5F041AA11
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA67
, 5F041CA83
, 5F073AA45
, 5F073CA02
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB10
, 5F073CB19
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA35
, 5F073EA04
