特許

J-GLOBAL ID：200903045491344660

有機金属化学蒸着による銀薄膜形成用有機銀化合物

発明者： 齋 篤 ,  内田 寛人 ,  佐藤 正光 ,  小木 勝実
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-114578
公開番号（公開出願番号）：特開平8-301880
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年11月19日
要約：

【要約】【目的】 MOCVD法による銀薄膜の形成に際し、熱安定性及び揮発性に優れ、不純物混入のおそれもない銀薄膜形成用有機銀化合物を提供する。【構成】 下記式(I)で表されるMOCVD法銀薄膜形成用有機銀化合物。【化13】(ただし、上記(I)式中nは0〜4の整数を示し、R1 ,R2 及びR3 は、水素、或いは、炭素数1〜4の直鎖又は分岐状のアルキル基を示し、R4 及びR5は、炭素数1〜4の直鎖又は分岐状の、アルキル基又はフッ化アルキル基を示す。)【効果】 配位子のビニル系ないしアリル系誘導体がシラノ基を有するため、安定した気化速度で気化し、優れた揮発性及び熱安定性を示す。

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)で表される有機金属化学蒸着による銀薄膜形成用有機銀化合物。【化1】(ただし、上記(I)式中nは0〜4の整数を示し、R1 ,R2 及びR3 は、水素、或いは、炭素数1〜4の直鎖又は分岐状のアルキル基を示し、R4 及びR5は、炭素数1〜4の直鎖又は分岐状の、アルキル基又はフッ化アルキル基を示す。)

IPC (2件)：

C07F 7/08 ,  H01L 21/285

FI (2件)：

C07F 7/08 C ,  H01L 21/285 C