特許
J-GLOBAL ID：200903045491350112
薄膜トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 博光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228683
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077484
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 多結晶Si薄膜トランジスタ製造において、Si膜-ゲ-ト絶縁膜界面付近のダングリングボンドの終端のための水素化を効率的かつ確実に行う。【構成】 チャネルとなるポリSi層を2層構造とし、下層のチャネルポリSi膜31を成膜する工程と、水素を多量に含むプラズマSiN膜2をPCVD法で成膜する工程と、上層のチャネルポリSi膜32を成膜する工程とを含む製造方法により、Si膜-ゲート絶縁膜界面の近傍に水素化のための水素供給源を設ける。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、チャネル部のポリシリコン膜を2層とし、その層間に水素を多量に含むプラズマシリコン窒化物からなる層を封じ込めることを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/318
