特許
J-GLOBAL ID:200903045492861650

トランジスタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-117411
公開番号(公開出願番号):特開平6-333932
出願日: 1993年05月19日
公開日(公表日): 1994年12月02日
要約:
【要約】【目的】 高速スイッチング特性を有し安全動作領域が広いことに加えて、高耐圧で大電流を流すことができるトランジスタを提供する。【構成】 マルチベース領域2aとエミッタ領域3とがベースパッドとエミッタパッドを結ぶ方向および該方向と垂直方向にそれぞれ交互に配列され、ベース電極配線22a、22bとエミッタ電極配線32a、32bとは左右交互の折れ曲がり部を有しシクザク状に形成されている。
請求項(抜粋):
半導体基板からなるコレクタ領域にベース領域が形成され、該ベース領域にエミッタ領域が形成され、該ベース領域およびエミッタ領域に給電するためそれぞれベース電極配線およびエミッタ電極配線を経由してベースパッドおよびエミッタパッドが形成されてなるトランジスタであって、前記エミッタ(またはベース)領域内に複数個のベース(またはエミッタ)領域が形成されると共に、該複数個のベース(またはエミッタ)領域にベース(またはエミッタ)コンタクトが形成され、該ベース(またはエミッタ)コンタクトにそれぞれ対応してエミッタ(またはベース)コンタクトが形成され、該ベースコンタクトと該エミッタコンタクトとがベースパッドとエミッタパッドを結ぶ方向および該方向と垂直方向にそれぞれ交互に配列されてなるトランジスタ。
IPC (2件):
H01L 21/331 ,  H01L 29/73

前のページに戻る