特許

J-GLOBAL ID：200903045493364706

半導体装置の製造方法

発明者： 吹田 牧夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-295765
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151269
出願日： 1992年11月05日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】コンタクトホール等の孤立パターン形成のための露光工程を含む半導体装置の製造方法に関し、より微細な高解像度の孤立パターンを形成すること。【構成】遮光部3aが光軸上にある光源絞り3を透過した照明光を用い、該照明光を投影レンズ7の開口数よりも大きな角度でレチクル6Aに照射し、該レチクル6Aと該投影レンズ7を順に透過した前記照明光をフォトレジスト9に照射して露光する工程と、レチクル6A、6Bを少なくとも1回交換して露光を追加することにより、複数枚の前記レチクル6A、6Bのそれぞれに形成された各パターンPA1、PA2、PB1、PB2のエッジの重なり部分に解像可能な潜像P0 を形成する工程と、前記フォトレジスト9の前記潜像P0 を現像液により顕像化する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

遮光部(3a)が光軸上にある光源絞り(3)を透過した照明光を用い、該照明光を投影レンズ(7)の開口数よりも大きな角度でレチクル(6A)に照射し、該レチクル(6A)と該投影レンズ(7)を順に透過した前記照明光をフォトレジスト(9)に照射して露光する工程と、レチクル(6A、6B)を少なくとも1回交換して露光を追加することにより、複数枚の前記レチクル(6A、6B)のそれぞれに形成された各パターン(PA1、PA2、PB1、PB2)のエッジの重なり部分に解像可能な潜像(P0 )を形成する工程と、前記フォトレジスト(9)の前記潜像(P0 )を現像液により顕像化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。