特許

J-GLOBAL ID：200903045498061272

半導体ウェーハの研削方法およびその装置

発明者： 田中 恵一 ,  加賀谷 修 ,  畠中 徹
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-172682
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007986
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェーハを湾曲させず、傾けず、固定できる研削方法を提供する。研削ウェーハにディンプルが生じない固定方法を提供する。【構成】 冷凍チャック12上に液を約10mlだけ滴下し、その液面上にウェーハ13を置く。滴下溶液は、純水に界面活性剤を20〜60体積%の範囲で混合する。チャック固定前に、混合液を600〜700Torrにひき、脱ガス処理を行う。チャック12の温度を下げてウェーハ13を冷凍する。レジンボンド砥石で研削を行う。取り代は5〜10μmとする。ワークテーブル11の回転数も制御する。いったん解凍し、ウェーハ研削面を下にして再び冷凍チャック12に冷凍固定し、上記と同じ条件で研削する。この結果、ウェーハ13の表裏面を平坦に研削できる。さらに、両面研磨工程等を経て両面または片面ミラーウェーハを作製する。

請求項（抜粋）：

スライスされた半導体ウェーハを冷凍チャックで研削台に固定し、この半導体ウェーハの表面を研削する半導体ウェーハの研削方法において、上記冷凍チャックでの固定は、界面活性剤を20〜60体積%だけ含む水を脱気処理をした後に凍らせて行う半導体ウェーハの研削方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 B